- время переноса носителей заряда
- Engineering: carrier transit time, carrier transport time
Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.
время переноса носителей заряда
Смотреть что такое "время переноса носителей заряда" в других словарях:
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
длина дрейфа неравновесных носителей заряда — длина дрейфа неравновесных носителей заряда; длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда электрическим полем за время, прошедшее до их рекомбинации … Политехнический терминологический толковый словарь
длина дрейфа нравновесных носителей заряда — длина дрейфа нравновесных носителей заряда; длина дрейфа Средняя длина переноса электрическим полм неравновесных носителей заряда в полупроводнике за время, прошедшее до их рекомбинации … Политехнический терминологический толковый словарь
длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника — длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы длина дрейфа … Справочник технического переводчика
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника — 37. Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника Длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
НЕРВНЫЙ ИМПУЛЬС — волна возбуждения, к рая распространяется по нервному волокну и служит для передачи информации от периферич. рецепторных (чувствительных) окончаний к нервным центрам, внутри центр. нервной системы и от неё к исполнительным аппаратам мышцам и… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ПРИЁМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ — устройства, изменение состояния к рых под действием потока оптического излучения служит для обнаружения этого излучения. П. о. и. преобразуют энергию оптич. излучения в другие виды энергии (тепловую, электрич., механич. и т. д.), более удобные… … Физическая энциклопедия
